CFD Selection EG1VNE エントリーモデル M.2 NVMe接続SSD 1TB
CSSD-M2M1TEG1VNE
CFD Selection EG1VNE エントリーモデル M.2 NVMe接続SSD 1TB
CSSD-M2M1TEG1VNE
主な特長
メディア掲載
エルミタージュ秋葉原
エルミタ的速攻撮って出しレビュー Vol.853
エントリーモデルながら性能に妥協していない「EG1VNE」シリーズを徹底的にレビューしていただきました。
製品特長
EG1VNEシリーズは、PCIe Gen3x4対応 カジュアルユース向けNVMe SSDです。Sequential Read Max 3400MB/s、Write Max 2000MB/s！(1TBモデル)
Phison製 PS5012-E12S(E12のリファイン版)とMicron製3D QLC NAND、キャッシュ用にDDR3Lメモリ搭載しており、エントリーモデルながら高いパフォーマンスを発揮します。
SSDの信頼性を高めるためにSmartECC™やSmartRefresh™を採用しました。
エントリーモデルながら高いパフォーマンス
高速転送のインターフェース PCI Express Gen.3 x4と、強力かつ優秀なSSDコントローラ、DDR3Lキャッシュメモリを搭載することで、エントリークラスのSSDでも高いパフォーマンスを実現しました。また、SATA SSDと比較して約5.8倍高速です。
※Sequential Readの速度比較になります。
QLCでもTLCと同等のハイスピードを実現
ハイスピードの秘密1 「生まれ変わったE12コントローラ」
2019年に注目されたPCI-Express Gen.3対応SSDコントローラPS5012-E12の第2世代E12SをエントリークラスSSDで採用。
パフォーマンスを落とさず、コントローラ面積を約45%削減(16mm→12mm)。
コントローラの熱対策にダイの上に放熱用のメタルプレートを装備。
M.2-2280フォームファクタで搭載できるNANDチップ数増と3D QLCにも対応。
ハイスピードの秘密2 「SLCキャッシュ+キャッシュ用DRAM」
競合他社製(SMI製コントローラ+ 3D QLC採用)エントリーNVMe SSD※のSLCキャッシュ領域と比較し、領域を約2倍確保。
ハイスピードをアシストするためにDDR3Lメモリをキャッシュ用に搭載。
※当社調べ
安心＆高品質 こだわりの構成パーツ
PCIe Gen3x4 コントローラーPHISON PS5012-E12S
高速インターフェース PCIe Gen3をサポートした高性能コントローラーで、モバイルゲームコンピューティング、エンタープライズデータセンター、ディープラーニングなど様々な分野で活躍しています。E12SはTSMC 28nmを利用して作られおり、最大 Seq Read 3,450 MB/s、Seq Write 3,150 MB/sを実現します。(コントローラーの理論値です)
Micron製3D NAND QLCを採用
Micron製 3D NAND Flash N28 は、単位面積当たりの記憶スペースを増やすため64層から96層に積層数を追加。また、NANDフラッシュのスループットは667MT/sをサポート。2.5inch SATA SSDに標準的にサポートされているNANDフラッシュに比べて1.2～1.6倍高速です。
高いパフォーマンス、耐久性、信頼性
EG1VNEシリーズは搭載された様々な機能によって、高いパフォーマンス、耐久性、信頼性を発揮します。
Smart data processing
Smart Data Procesingとは、Read/Writeのパフォーマンスを空き容量に基づいて調整し、最適なパフォーマンスを発揮するファームウェアの機能です。
空き容量が多い場合はガベージコレクションを行う必要がなく、Read/Writeコマンドを継続実行することでパフォーマンスが加速します。
反対に、容量が少ない場合はメモリを解放するためにガベージコレクションを行うため、パフォーマンスが一時的に低下します。
Predict & Fetch
データの読み込み速度を向上するためにPredict & Fetch機能を搭載しています。
通常、SSDは1回データの読み取りを行うと次のコマンドを待機しますが、Predict & FetchはSSDにシーケンシャルリードコマンドを発行した際に、自動的に次のコマンドが実行されることを期待し、事前にデータの準備を行います。そのため、ホスト側はデータ受信するまでに長い時間を必要とせず高速にデータ処理が可能となります。
Smart Zip™
NANDフラッシュにデータの書き込みを行うには時間が掛かりますが、圧縮技術SmartZip™によって書き込み性能を向上させています。
圧縮せずに書き込むSSDと比較すると、書き込まれるデータが少なく済むため書き込み効率の向上と共にSSDの寿命(耐久性)も向上します。
Smart Reflesh™
現在のエラー訂正コードの訂正能力には理論的な限界がありますが、Smart Reflesh™は、「Dynamic Error Bit Monitoring」、「Read Retry」によってSSDの信頼性を向上させています。
「Dynamic Error Bit Monitoring」は、データ状態が破損する前にチェックをするためのメカニズムです。適切なタイミングでデータをチェックし、しきい値を超えたエラーブロックに対して特別なアクション「Read Retry」を実行してユーザデータの整合性を取ります。
SLC Caching
PS5012-E12Sのファームウェアデザインは現在、動的キャッシングを採用。パフォーマンスを向上させています。
Thermal Throttling
サーマルスロットリングは、SSDのコンポーネントが過熱しすぎるのを防ぎます。PS5012-E12Sは、温度センサーを組み込んでおり、SMART情報を介してSSDの保護・故障予防を効率的に管理します。
仕様
| JAN |
CSSD-M2M1TEG1VNE：4988755052078 CSSD-M2M5GEG1VNE：4988755052085 |
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|---|---|---|---|
| 容量 |
CSSD-M2M1TEG1VNE：1 TB CSSD-M2M5GEG1VNE：500 GB |
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| フォームファクター | M.2-2280 (Single Side) | ||
| インターフェース | PCI Express 3.0 (x4) | ||
| プロトコル | NVMe 1.3 | ||
| コントローラー | Phison PS5012-E12S | ||
| NANDフラッシュ | Micron 3D QLC(4chips) 8CE | ||
| キャッシュメモリ | － | ||
| Sequential Read (Max) |
CSSD-M2M1TEG1VNE：最大 3400 MB/s CSSD-M2M5GEG1VNE：最大 2000 MB/s |
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| Sequential Write (Max) |
CSSD-M2M1TEG1VNE：最大 2000 MB/s CSSD-M2M5GEG1VNE：最大 1000 MB/s |
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| Random Read (Max) |
CSSD-M2M1TEG1VNE：最大 120K IOPS CSSD-M2M5GEG1VNE：最大 95K IOPS |
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| Random Write (Max) |
CSSD-M2M1TEG1VNE：最大 500K IOPS CSSD-M2M5GEG1VNE：最大 250K IOPS |
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| TBW |
CSSD-M2M1TEG1VNE：100 TBW CSSD-M2M5GEG1VNE：45 TBW |
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| MTBF | 180万 時間 | ||
| 保証期間 | 3年 | ||
| サポート | Advanced Wear Leveling , Bad Block Management , TRIM , Over-Provision , Firmware Update , APST , ASPM , RoHS , Thermal Throttling, SmartECC™,SmartRefresh™ | ||
| 備考 |
※ヒートシンクの熱が放散されるよう、PCケース内のエアフローには十分ご注意ください。 ※本製品の故障内容を問わず、ご使用機器本体のダメージや記録されたデータの破損または消失については責任を負いかねます。保証規定をお読みの上、ご利用ください。 ※転送速度は弊社にて確認した数値です。すべての環境おいて保証されるものではございません。 ※製品の仕様・付属品などは予告なく変更される場合があります。 |
