CFD Elixir DDR3-1600 ノート用メモリ 204pin SO-DIMM 2枚組 (低電圧:1.35V)
W3N1600Q-L
DDR3-1600 ノート用メモリ 204pin SO-DIMM 2枚組動作確認済セット (低電圧:1.35V)
- ELIXIR
- 1600
- 8GB×2
- 4GB×2
- 対応
- ノートパソコン
型番 | JANコード | 備考 |
W3N1600Q-L4G | 4988755011242 | 4GB x2 |
W3N1600Q-L8G | 4988755011235 | 8GB x2 |
製品特徴
CFD ELIXIR とは
世界的なDRAMモジュールメーカーであるElixir社(DRAM製造メーカーであるNANYA TECHNOLOGY CORPORATION子会社)より、特別に選別をしたメモリモジュール供給をうけ、さらに自社において最終出荷検査を行った、SPECIAL EDITIONメモリです。
高品質基板設計

20年を超える基板設計技術の積み重ねと、高性能メモリテスタを駆使した高次元の開発環境。
厳選されたDRAM

求められる条件に最適な高速DRAMを厳選。
配線の最適化

シミュレーションと実測データの蓄積により、適切な配線を実現。
革新(1):電源の安定化
700MHz以上という高クロック領域での動作を実現するには、安定動作するモジュールの設計が不可欠です。
安定動作には何が必要か。1つ目の答えは電源でした。
メモリの動作状況に影響されにくい電源回路の設計、その理論を忠実に実現する基板設計技術。
この2つの技術が電源安定性30%UPを実現し、より安定性の高いメモリモジュールを実現しました。
革新(2):信号配線の見直し
2つ目の答えは信号配線でした。
全面的に信号配線の見直しを行い、信号のタイミングジッターを解消し、フル実装時やオーバークロック時に発生する問題を大幅に削減。
PC側の設計やメモリの特性によって起きる相性が動作不良に陥る原因となりますが、「FIRESTIX」の基板では高速、高負荷時にも正常なタイミングを確保することに成功し、高速動作また安定動作を実現しています。
仕様
メモリ種 /クロック |
DDR3-1600 (PC3-12800) 低電圧:1.35V |
|
容量 | 4GB x2 | 8GB x2 |
型番 | W3N1600Q-L4G | W3N1600Q-L8G |
JAN | 4988755011242 | 4988755011235 |
タイミング | 11-11-11 | 11-11-11 |
枚数 | 2枚 | 2枚 |
保証期間 | 永久 | 永久 |
搭載チップ | ELIXIR選別品 | ELIXIR選別品 |
パッケージ寸法 重量 |
172x165x20mm 70g |
172x165x20mm 70g |
サポート | RoHS:◯ PSE:対象外 電波法:対象外 |
RoHS:◯ PSE:対象外 電波法:対象外 |